Qualcomm博客

Qualcomm推出下一代快速充电技术Quick Charge 3.0

–快速充电技术的最新演进预计将随Qualcomm骁龙820处理器面市,并将于明年集成在移动终端中 –

2015年9月15日,香港——Qualcomm Incorporated(NASDAQ: QCOM)今日宣布,其子公司QualcommTechnologies, Inc. 现已推出下一代快速充电技术Qualcomm Quick Charge 3.0。作为快速充电技术的第三代产品,Quick Charge 3.0在同类产品中首次采用最佳电压智能协商(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)算法。INOV是由QualcommTechnologies开发的全新算法,旨在帮助便携设备具备选定所需功率电平的能力,以在任意时刻实现最佳功率传输,且最大化效率。Quick Charge 3.0能在大约35分钟内将一部典型的手机从零电量充电至80%,而不具备Quick Charge的传统移动终端通常需要大致一个半小时的时间。

借助INOV 和其他先进技术的Quick Charge 3.0,可实现比QuickCharge 2.0最高达38%的效率提升,同时还采用其他方法帮助保护电池寿命周期。此外,当与Qualcomm Technologies最新的、先进并联充电配置一起使用时,QuickCharge 3.0可以实现:

  • 与Quick Charge 2.0相比,帮助提高快速充电速度最高达27%,或减少功率损耗最高达45%
  • 比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度

Quick Charge 3.0现已正式推出,并将在部分Qualcomm 骁龙 处理器中以选配形式提供,包括骁龙820、620、618、617和430处理器;搭载这一技术的移动终端预计将于明年上市。Qualcomm骁龙处理器是QualcommTechnologies, Inc.的产品。

Qualcomm Technologies, Inc. 产品管理高级副总裁Alex Katouzian表示,“我们正在大幅提升Quick Charge3.0具备的功能和优势,把强大的快速充电技术带给所有用户。Quick Charge 3.0通过领先技术和包括先进终端和配件OEM厂商在内的强大生态系统,帮助用户快速、高效地恢复电池电量,解决消费者使用当前移动终端时的一个重大挑战。”

Quick Charge 3.0还带来了诸多方面的提升:在Quick Charge 2.0的基础上增强了灵活性,特别是在充电选项方面。Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压, Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档,提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这将允许手机获得恰到好处的电压,达到预期的充电电流,从而最小化电量损失、提高充电效率并改善热表现。

LG电子助理副总裁Sang G. Kim博士表示,“LG电子在最近的智能手机中采用了Quick Charge 2.0技术,并且大获成功。LG的核心向来是致力于打造能够带来无与伦比用户体验的终端。QualcommTechnologies的解决方案非常好地契合这一理念,而快速充电技术已迅速成为最受欢迎的终端特性之一。Qualcomm Technologies的解决方案已经遥遥领先于其他厂商,我们期待着向用户提供Quick Charge 3.0技术,帮助他们更快、更高效地为终端充满电量。”

Quick Charge 3.0能够与Quick Charge之前的版本及连接器(包括USBType-C)前向和后向兼容,并且拥有同样的超快充电速度,以及独立电路,为OEM厂商提供更灵活的选择,此外还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。

Quick Charge 3.0的采用建立在对现有设计最小化改变上,能向 OEM厂商提供低成本的快速充电选项。运营商和OEM厂商将受益于既有的Quick Charge生态系统,包括20多家已支持Quick Charge 2.0技术的OEM厂商和90多种可用配件。该快速充电技术已经成为数家运营商的必需配置,并得到其他运营商和零售商的积极支持。

迄今为止,已有超过40款移动终端和超过100款认证配件支持Quick Charge 2.0。如需了解相关公司名单,请访问:https://www.qualcomm.com/documents/quick-charge-device-list 。如需了解有关Quick Charge的更多信息,您还可以访问:https://www.qualcomm.com/products/snapdragon/quick-charge 。

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